800v碳化硅平臺的技術原理是什么？

800V碳化硅平臺的技術原理是基于提升功率的需求，利用碳化硅材料特性實現高效能量轉換。功率與電壓、電流相關，提升電流會致發熱劇增，提高電壓更為直接。碳化硅硬度高、導熱佳，適合高壓環境。800V平臺中用的碳化硅基MOSFET比400V平臺的硅基IGBT，系統效率更高、尺寸重量更小。該平臺從充電到電驅等多方面實現技術突破，帶來更優性能 。

在充電環節，800V碳化硅充電技術的核心在于將低壓交流電在車內轉換為高壓直流電給電池充電。當充電槍頭連接車輛端，充電樁提供低壓輔助直流電源激活車輛BMS后，車輛和充電樁會交換充電參數。隨后根據車輛需求和充電樁能力，800V快充系統一般在750 - 900V運行，常見充電功率350kW 或更高。先是恒流充電階段，快速填充大部分電量，之后電量達到一定程度切換到恒壓模式，抑制電芯極化效應，最后電池充滿或達到預設充電量時停止充電并斷開連接，這一過程由BMS精確控制。

電驅系統方面，碳化硅技術的應用有著重要意義。在電機運行時，逆變器將直流電壓轉換為脈沖電壓，產生諧波交流電流。SiC - MOSFET的應用滿足了高電壓平臺需求，能降低電機諧波損耗。因為SiC功率器件比硅更高效，可實現更高開關頻率，提高電機效率。其材料特性、模塊設計及控制技術相結合，組成高效牽引系統，在WLTP循環中，驅動系統效率可提高4 - 8%。

此外，800V碳化硅平臺還有升壓技術、分壓技術等多種方式來保障其高效運行。車端升壓、電機升壓等手段各有優勢，關鍵組件如碳化硅器件、液冷系統等協同工作。

800V碳化硅平臺憑借獨特的技術原理，在充電與電驅等多領域發力，提升了系統效率，降低了損耗，為汽車行業的電氣化發展帶來了新的動力與可能，推動著汽車性能不斷邁向新高度。